FQPF47P06YDTU دیتاشیت

FQPF47P06

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت FQPF47P06
حجم فایل 1153.346 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 11

مشاهده دیتاشیت FQPF47P06-Isee

دانلود دیتاشیت

سایر مستندات

مستندات دیگری یافت نشد!

مشخصات فنی

  • Manufacturer: ON Semiconductor
  • Series: QFET®
  • Packaging: Tube
  • Part Status: Active
  • FET Type: P-Channel
  • Technology: MOSFET (Metal Oxide)
  • Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 15A, 10V
  • Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110nC @ 10V
  • Vgs (Max): ±25V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3600pF @ 25V
  • FET Feature: -
  • Power Dissipation (Max): 62W (Tc)
  • Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Mounting Type: Through Hole
  • Supplier Device Package: TO-220F-3 (Y-Forming)
  • Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Formed Leads
  • Base Part Number: FQPF4
  • detail: P-Channel 60V 30A (Tc) 62W (Tc) Through Hole TO-220F-3 (Y-Forming)

محصولات مشابه